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Bourns®IGBT离散BID系列结合了MOS门和双极晶体管的技术，为高电压和大电流应用创造了合适的组件。bob综合体育下载该器件采用先进的沟槽栅场停技术，提供了更好的动态特性控制，同时导致较低的集电极-发射极饱和电压(VCE(坐))和更少的开关损耗。此外，这种结构增加了器件的鲁棒性，并给出了较低的RTH．Bourns®IGBT解决方案适用于SMPS, UPS和PFC应用。bob综合体育下载
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