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采用FLAT®技术的gts

平# 174;系列

GDT避雷器采用Bourns的FLAT®专利技术,为需要强大过电压保护的电子产品提供了一个紧凑而低调的解决方案。采用FLAT®技术的GDT在技术上实现了重大飞跃,旨在满足或超过ITU K.12中规定的GDT要求。

冲突矿物来源报告适用于GDT、SPD、MOV:CMRT

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系列 数据表 照片 设备符号 尺寸(直径x长度mm) 电容pF 直流击穿电压范围V 脉冲放电电流(kA 最大8x20 μ s脉冲电流(kA) 1应用 最大10x350 μ s脉冲电流(kA) 1应用 工作温度范围C° 包装选项 通过无铅认证 MDS 设计文件 工程 立即购买
2011系列w/FLAT®技术 2011系列w/FLAT®技术 2011年_flat_part gdt_2_electrode 参见数据表 < 2.9 350 参见数据表 参见数据表 N/A -40到+90摄氏度 磁带和卷筒 2011系列 2011平
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2017系列w/FLAT®技术 2017系列w/FLAT®技术 2017 - flat_part gdt_2_electrode 参见数据表 < 2.5 90 - 500 10 12 2.5 -55到+85摄氏度 磁带和卷筒,散装 2017系列 2017平
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2019系列w/FLAT®技术 2019系列w/FLAT®技术 2019年_flat_part gdt_2_electrode 参见数据表 < 2.5 90 - 230 20. 25 5 -55到+105度 磁带和卷筒 2019系列 2019平
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